- silicon gate mos process
- 硅栅金属氧化物半导体工艺
English-Chinese electricity dictionary (电气专业词典). 2013.
silicon gate mos process
Look at other dictionaries:
silicon-gate MOS process — MOP darinių su silicio užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon gate MOS process; silicon gate MOS technology vok. Siliziumgate MOS Technik, f rus. технология МОП структур с кремниевыми затворами, f… … Radioelektronikos terminų žodynas
silicon-gate MOS technology — MOP darinių su silicio užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon gate MOS process; silicon gate MOS technology vok. Siliziumgate MOS Technik, f rus. технология МОП структур с кремниевыми затворами, f… … Radioelektronikos terminų žodynas
silicon floating-gate MOS process — MOP darinių su plūdriosiomis silicio užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon floating gate MOS process vok. MOS Technik mit schwebendem Siliziumgate, f rus. технология МОП структур с плавающими… … Radioelektronikos terminų žodynas
MOS-Technik mit schwebendem Siliziumgate — MOP darinių su plūdriosiomis silicio užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon floating gate MOS process vok. MOS Technik mit schwebendem Siliziumgate, f rus. технология МОП структур с плавающими… … Radioelektronikos terminų žodynas
Siliziumgate-MOS-Technik — MOP darinių su silicio užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon gate MOS process; silicon gate MOS technology vok. Siliziumgate MOS Technik, f rus. технология МОП структур с кремниевыми затворами, f… … Radioelektronikos terminų žodynas
technologie MOS à grilles de silicium — MOP darinių su silicio užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon gate MOS process; silicon gate MOS technology vok. Siliziumgate MOS Technik, f rus. технология МОП структур с кремниевыми затворами, f… … Radioelektronikos terminų žodynas
Silicon on sapphire — (SOS) is a hetero epitaxial process for integrated circuit manufacturing that consists of a thin layer (typically thinner than 0.6 micrometres) of silicon grown on a sapphire (Al2O3) wafer. SOS is part of the Silicon on Insulator (SOI) family of… … Wikipedia
technologie des circuits intégrés MOS à grilles flottantes en silicium — MOP darinių su plūdriosiomis silicio užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon floating gate MOS process vok. MOS Technik mit schwebendem Siliziumgate, f rus. технология МОП структур с плавающими… … Radioelektronikos terminų žodynas
Polycrystalline silicon — Polycrystalline silicon, also called polysilicon, is a material consisting of small silicon crystals. It differs from single crystal silicon, used for electronics and solar cells, and from amorphous silicon, used for thin film devices and solar… … Wikipedia
MOP darinių su silicio užtūromis technologija — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon gate MOS process; silicon gate MOS technology vok. Siliziumgate MOS Technik, f rus. технология МОП структур с кремниевыми затворами, f pranc. technologie MOS à grilles de silicium, f … Radioelektronikos terminų žodynas
технология МОП-структур с кремниевыми затворами — MOP darinių su silicio užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon gate MOS process; silicon gate MOS technology vok. Siliziumgate MOS Technik, f rus. технология МОП структур с кремниевыми затворами, f… … Radioelektronikos terminų žodynas
